Precision Inspection Scenes
半导体前道与后道精密检测场景
我们提供从前道光刻后缺陷扫描到后道 3D 封装微凸点检测的完整光电测绘方案，以纳米级的定位能力与高对比度的成像滤镜，打造工业级零漏检品质屏障。
12-Inch Wafer Front-End Inspection精度目标: 20纳米级颗粒分辨率，10秒内完成单片扫描
12寸晶圆前道缺陷在线检测
在芯片光刻与刻蚀完毕后，对表面极微小颗粒、划痕与图案缺失进行在线明暗场缺陷检测。
物镜与驱动传感器配置超大数值孔径(NA 1.35)深紫外水浸透镜系统 + 纳秒极超快自校准变形镜
动态量测控制节点 (Process Control Nodes)
光学自动对准±5 nm
电容传感器与压电致动器实时校正XY漂移
动态对焦调谐±10 nm
高速音圈电机自适应跟踪硅片表面翘曲度
明暗场缺陷抓取≥ 99.8%
通过光学高阶衍射抑制背景杂散光，对比度最大化
Advanced Packaging 2.5D/3D Bump Inspection精度目标: 高度测量重复性 ≤ 0.1微米，平面测量精度 0.05微米
先进封装 2.5D/3D 高密度引脚与凸点检测
对TSV(硅通孔)、Micro Bump(微凸点)的共面性、高度、偏移进行三维重构与微米级量测。
物镜与驱动传感器配置双侧双 telecentric(远心)高精度镜头组 + 环形防反射电控偏振照明系统
动态量测控制节点 (Process Control Nodes)
多投影视角重构0.1 μm
条纹投影光栅的高速电学相位控制
平面尺寸量测0.05 μm
远心物镜彻底消除由于被测物高度起伏引起的视差
共面性高度判定0.08 μm
利用白光干涉对芯片凸点三维平整度进行严苛筛查